东芝推出采用最新一代工艺制造的80V N沟道功率MOSFET，助力提高

东京--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，简称“东芝”）为其采用最新一代工艺制造的“U-MOS X-H系列”增加了80V N沟道功率MOSFET。新推出的MOSFET适用于数据中心和通信基站中所用的工业设备的开关电源。

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新增产品包括采用表面贴装SOP Advance封装的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封装的“TPN19008QM”。产品即日起出货。

由于采用了最新一代工艺制造技术，比当前工艺U-MOS VIII-H系列中的80V产品相比，新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。 通过优化器件结构，漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了改善[2]。因此，新产品可提供业界最低的功耗[3]。

东芝正在扩展其降耗型产品系列，以助力降低设备功耗。

应用场合

• 开关电源（高效AC-DC转换器、DC-DC转换器等）
• 电机控制设备（电机驱动器等）

特性

• 业界最低[3]功耗（通过改善导通电阻与栅极电荷特性[2]之间的平衡）
• 业界最低 [3]导通电阻：
       VGS=10V (TPH2R40QM)时，RDS(ON)=2.43mΩ（最大值）
       VGS=10V (TPN19008QM)时， RDS(ON)=19mΩ（最大值）
• 高额定通道温度：Tch = 175℃

主要规格

注：
[1] 总栅极电荷（栅源+栅漏）、栅极开关电荷、输出电荷
[2] 与TPH4R008NH（U-MOS VIII-H系列）相比，TPH2R408QM的漏源导通电阻x总栅极电荷约提高15%，漏源导通电阻 x 栅极开关电荷约提高10%，漏源导通电阻x输出电荷约提高31%。
[3] 截至2020年3月30日，东芝调研。

如需获取有关新产品的更多信息，请关注以下链接
TPH2R408QM
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TPH2R408QM
TPN19008QM
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TPN19008QM

如需获取有关东芝12-300V MOSFET系列的更多信息，请关注以下链接。
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/lv-mosfet.html

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TPH2R408QM
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPH2R408QM.html
TPN19008QM
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关于东芝电子元件及存储装置株式会社

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